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SanDisk-Aktienkurs-Prognose: Neue DRAM-Architektur von ChangXin Memory trifft NAND als Kollateralschaden, HBF High-Bandwidth Flash als Schlüssel zur Trendwende

Quelle Tradingkey

TradingKey – Der Speichersektor verzeichnete kürzlich Verluste aufgrund von Meldungen, dass das chinesische Unternehmen CXMT eine DRAM-Architektur der nächsten Generation vorantreibt. CXMT setzt jedoch auf DRAM-Produkte wie Server-DDR5, während sich das Hauptgeschäft von SanDisk (SNDK) auf NAND-Flash, Enterprise-SSDs und Speicherlösungen für Rechenzentren konzentriert, sodass keine direkte Produktsubstitution zwischen beiden besteht.

Die Sorgen des Marktes über einen „sich verschärfenden Wettbewerb bei Speicherchips“ könnten dazu führen, dass DRAM-Risiken übermäßig auf das NAND-Geschäft von SanDisk übergreifen. Derzeit schwankt der Aktienkurs von SanDisk nahe 1.450 US-Dollar und erreichte ein neues Tief seit Ende August.

Warum fällt die SanDisk-Aktie?

Die 4F²-Architektur von CXMT wirkt sich in erster Linie auf den DRAM-Markt aus, weshalb die direkten Konkurrenten des Unternehmens eher Samsung Electronics, SK Hynix und Micron Technology sind als SanDisk. DRAM wird hauptsächlich in Arbeitsspeichern und High-Bandwidth Memory genutzt, während NAND häufiger bei SSDs, mobilen Speichern, PC-Speichern sowie Kapazitätsspeichern für Rechenzentren zum Einsatz kommt.

An den Kapitalmärkten werden DRAM, HBM, NAND und SSDs jedoch häufig demselben „Speichersektor“ zugeordnet. Wenn Anleger befürchten, dass chinesische Unternehmen ihre Speicherkapazitäten ausweiten, verkaufen sie oft erst einmal die gesamte Speicher-Lieferkette ab, anstatt die Produktstruktur jedes einzelnen Unternehmens individuell zu bewerten. Noch wichtiger ist jedoch, dass die chinesischen Hersteller, die direkt mit dem NAND-Geschäft von SanDisk konkurrieren, NAND-Produzenten wie YMTC sind – und nicht CXMT, das sich hauptsächlich auf DRAM konzentriert.

Daher wirkt der jüngste Kursrückgang von SanDisk eher so, als würde der Markt das „CXMT-DRAM-Risiko“ fälschlicherweise auf „NAND und KI-Speicher“ übertragen.

SanDisks eigentlicher Fokus verlagert sich auf High-Bandwidth Flash (HBF)

SanDisk prognostizierte auf seiner Investor-Day-Veranstaltung, dass der adressierbare Gesamtmarkt (TAM) für NAND-Flash in Unternehmens-Rechenzentren angesichts des starken Anstiegs von Inferenz-Workloads im Bereich der künstlichen Intelligenz (KI) und der Nachfrage nach Key-Value-Caches (KV-Cache) bis 2030 voraussichtlich 1,2 Zettabyte (ZB) erreichen wird.

Unterdessen gab SanDisk auch bekannt, neue langfristige Vereinbarungen mit acht Kunden geschlossen zu haben, die voraussichtlich etwa 50 % seiner Flash-Bit-Nachfrage für das Geschäftsjahr 2027 und rund zwei Drittel der Bit-Nachfrage für das Geschäftsjahr 2028 abdecken werden. Die Bedeutung solcher langfristigen Verträge liegt darin, dass sie die Auswirkungen von Preisschwankungen bei Flash-Speichern auf Umsatz und Cashflow abmildern und so sicherstellen, dass die Finanzentwicklung von SanDisk nicht mehr vollständig von den Spotmarktpreisen abhängt.

Dies unterscheidet SanDisk auch von traditionellen zyklischen Speicheraktien. In der Vergangenheit bewertete der Markt SanDisk hauptsächlich auf der Grundlage von NAND-Preisen, Lagerbeständen und Kapazitätsauslastungen. Sollte High Bandwidth Flash (HBF) jedoch Einzug in KI-Inferenz-Server halten, könnte sich die Geschäftslogik von SanDisk vom „Verkauf von mehr Flash-Speicher“ hin zur „Bereitstellung einer neuen Speicherstufe für KI-Systeme“ verlagern.

Goldman Sachs wies in einem am 12. veröffentlichten Research-Bericht darauf hin, dass mit der rasch steigenden KI-Inferenz-Nachfrage eine unzureichende Speicherkapazität zu einem zentralen Engpass wird, der die Recheneffizienz bremst. Im Vergleich zur Trainingsphase erfordert die KI-Inferenz eine längerfristige Speicherung von Modellgewichtungen, Kontextinformationen und KV-Caches, sodass Systeme nicht nur vor einer unzureichenden Bandbreite, sondern auch vor einem Mangel an nutzbarer Kapazität stehen könnten.

Vor diesem Hintergrund gilt High Bandwidth Flash (HBF) als potenzielle Lösung für das Problem der „Memory Wall“. HBF zielt darauf ab, die hohe Kapazität und die Kostenvorteile von NAND-Flash-Speichern mit schnelleren Datenzugriffsgeschwindigkeiten zu kombinieren, um so die Abhängigkeit der KI-Inferenz von teurer HBM- und DRAM-Kapazität zu verringern. Goldman Sachs schätzt, dass die Größe des adressierbaren Marktes 40 bis 150 Milliarden US-Dollar erreichen könnte, falls HBF in 15 % bis 50 % der KI-Chips zum Einsatz kommt. Folglich begrüßt Goldman Sachs die technologische Führungsrolle von SanDisk und SK Hynix im HBF-Bereich und behält für beide Aktien das Rating „Buy“ bei.

Was die nächste Kursrallye von SanDisk wirklich bestimmen wird, ist nicht die Frage, ob CXMT seine Kapazitäten im DRAM-Sektor ausbauen kann, sondern ob SanDisk HBF von einem technischen Konzept in reale Produkte für KI-Inferenz-Server verwandeln kann.

Falls HBF bei den großen Cloud-Hyperscalern zunehmend eingesetzt wird und langfristige Verträge die Transparenz der Einnahmen weiter verbessern, könnte die Aktie von SanDisk eine Neubewertung erfahren. Sollte die Kommerzialisierung von HBF jedoch langsamer als erwartet verlaufen, dürfte der Markt den Wert weiterhin als hochvolatile, zyklische NAND-Aktie betrachten.

SanDisk: Technische Analyse

Beim Blick auf den Aktienchart von SanDisk ist der aktuelle Kurs unter das 0,5-Fibonacci-Retracement-Niveau (1.453,84) gefallen und hält sich vorübergehend über dem Tagestief von 1.403 US-Dollar. Die gegenwärtige Bewegung stellt eine schwache technische Erholung nach einem Abwärts-Gap dar; der vorherige Rücksetzer setzt sich weiter fort, und eine Bodenbildung hat sich noch nicht abgezeichnet.

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SanDisk-Tageschart, Quelle: TradingView

Nach einem kräftigen Anstieg im September haben sich die Hochpunkte der Erholung schrittweise nach unten verlagert. Die Aktie fiel kürzlich nacheinander unter ihre gleitenden Durchschnitte sowie die vorherige Konsolidierungszone nahe 1.500 US-Dollar, was auf eine deutliche Abschwächung der Erholungsstruktur seit Ende Juli hindeutet.

Was die gleitenden Durchschnitte betrifft, liegen die 5-Tage-, 10-Tage- und 20-Tage-Durchschnitte bei 1.541,79 US-Dollar, 1.629,77 US-Dollar bzw. 1.640,15 US-Dollar und bilden eine kurzfristig bärische Anordnung; die 80-Tage- und 160-Tage-Durchschnitte liegen bei 1.604,98 US-Dollar bzw. 1.566,54 US-Dollar und behalten weiterhin ein längerfristig bullisches Muster bei. Während sich das kurzfristige Momentum abgeschwächt hat und die längerfristige Struktur beschädigt wurde, lässt sich dies daher noch nicht als vollständige bärische Anordnung über alle gleitenden Durchschnitte hinweg einstufen. Da der Kurs unter allen gleitenden Durchschnitten handelt, trifft jede technische Erholung weiterhin auf Widerstand von oben.

Was die Unterstützung nach unten betrifft, konzentrieren sich das Tagestief und der Eröffnungskurs im Bereich von 1.400 bis 1.406 US-Dollar. Zusammen mit der psychologisch wichtigen Marke von 1.400 US-Dollar markiert dies den ersten Bereich, in dem nach dem Abwärts-Gap Käufe einsetzten. Derzeit gibt es nur Hinweise auf eine intratägige Kaufunterstützung, deren Stärke erst durch nachfolgende Kerzen bestätigt werden muss. Fällt die Aktie unter diesen Bereich, könnte sie Unterstützung beim 0,618-Fibonacci-Retracement-Niveau (1.346,30 US-Dollar) suchen.

Hinsichtlich des potenziellen Erholungsspielraums sind die Voraussetzungen für eine neue Erholungswelle erst dann erfüllt, wenn der Aktienkurs die Marke von 1.453,84 US-Dollar zurückerobert und diese bei einem Rücksetzer verteidigt; bricht er unter 1.401,01 US-Dollar ein und kann sich nicht wieder erholen, ist die technische Erholung gescheitert und der Rücksetzer setzt sich fort.

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